Samsung lança primeira memória DRAM DDR5 de 32 GB
Samsung anunciou chips DRAM DDR5 com fabricação em 12 nm e 32 GB de capacidade; com tecnologia, pentes poderão chegar a 128 GB sem tecnologia TSV
Nesta sexta-feira (1), a Samsung apresentou seus novos chips de DRAM DDR5 fabricados em 12 nm e com 32 GB de capacidade, sem tecnologia TSV. Isso é o dobro do limite atual por módulo, abrindo espaço para a fabricação de pentes DDR5 com até 128 GB de RAM.
Pentes individuais de 128 GB já são uma realidade, mas até então eram limitados ao padrão DDR4 e utilizando a tecnologia Through Silicon Via. O TSV utiliza vias de conexão que atravessam o silício, circuito integrado e wafers para permitir que dois chips de 16 GB atuem como um módulo único.
Módulos de 1 TB para IA e Big Data
O problema dessa abordagem é que ela consome até 10% mais energia e encarece a fabricação da DRAM. Além de baratear os custos de produção, o novo processo é um salto na escalabilidade de memória, representando um passo importante para atingir módulos de até 1TB.
Segundo SangJoon Hwang, vice-presidente executivo de Tecnolgia e Produtos DRAM da Samsung, o foco ainda não é o mercado doméstico, mas sistemas complexos de processamento de dados (big data) e Inteligência Artificial.
"Com nossas DRAM de 32GB em 12 nm, asseguramos uma solução que irá viabilizar módulos DRAM de até 1 TB, permitindo que estejamos idealmente posicionados para servir a demanda crescente de DRAM de alta capacidade na era da IA e Big Data."
Desde maio de 2023, a sul-coreana já utiliza litografia de 12 nm nas DRAMs DDR5 de 16GB. Já antecipando a demanda da indústria para os próximos anos, a produção em massa dos chips de 32GB está previsto para começar até o final do ano.
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